أطلقت سامسونج لأول مرة ذاكرة الوصول العشوائي DDR7 بسرعة 3 جيجابايت للذكاء الاصطناعي والألعاب
أعلنت شركة سامسونج اليوم أنها طورت أول ذاكرة وصول عشوائي GDDR7 DRAM بسعة 24 جيجا بايت في الصناعة. إنه مخصص لمراكز البيانات ومحطات عمل الذكاء الاصطناعي، ولكن أيضًا لاستخدام المستخدم النهائي في بطاقات الرسومات ووحدات التحكم في الألعاب والقيادة الذاتية. تم الكشف عن أن الذاكرة الجديدة تبلغ ضعف سعة ذاكرة الوصول العشوائي GDDR7 DRAM التي تبلغ سعتها 16 جيجا بايت في العام الماضي. تم تصميم الرقاقة باستخدام تقنية الجيل الخامس من فئة 10 نانومتر، والتي تعمل على تحسين كثافة الخلايا بنسبة 50% مع الحفاظ على نفس حجم الشريحة السابقة. تصل السرعة إلى 42.5 جيجابت في الثانية، أي أكثر بنسبة 25% من الإصدار السابق، وذلك بفضل تعديل سعة النبض ثلاثي المستويات (PAM3). لقد تحسنت كفاءة الطاقة بنسبة تزيد عن 30%، وفقًا لادعاءات الشركة. سيبدأ التحقق من صحة ذاكرة الوصول العشوائي GDDR7 DRAM بسعة 24 جيجا بايت في أنظمة الذكاء الاصطناعي الرئيسية من عملاء وحدة معالجة الرسومات هذا العام. ومن المقرر أن يتم تسويق الرقاقة تجاريًا في أوائل عام 2025.
